MBE不同氧前驱体对外延β-Ga₂O₃薄膜的影响
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领域背景：
β-Ga2O3作为超宽带隙（UWBG）半导体材料中极具代表性的材料，具有大面积单晶片的可用性、对可见光的高透明度以及出色的稳定性，是制备日盲探测器的天然本征吸收材料。然而，β-Ga2O3分子束外延生长机制仍不明确，特别是氧前驱体对β-Ga2O3生长机制的影响尚未披露，这对氧化物外延层的薄膜质量和光电器件的性能很重要。为了揭示氧前驱体对β-Ga2O3生长机制的影响，研究者使用臭氧和氧等离子体前驱体对生长的外延层的性质进行了表征，并从器件的光电特性对比两种氧前驱体在制备β-Ga2O3的差异。
研究意义：
本研究利用臭氧和氧等离子体作为前驱体研究了生长的β-Ga2O3外延层的晶体结构、元素组成和表面形貌，探讨了其生长机理，此外，通过生长特性和光电特性表征，对这两种器件的光响应机制进行了全面的分析。研究结果表明，分子束外延技术是制备高质量的β-Ga2O3外延层和高性能太阳能盲紫外光电探测器的一个很有前途的候选技术。本研究旨在通过分子束外延（MBE）技术，研究臭氧和氧等离子体作为前驱体在β-Ga2O3薄膜外延生长中的生长机理，并对比了两种氧前
